装置一覧

装置名	機関・部局	波長	レーザー種	ビーム数	運転モード	パルスエネルギー	パルス幅	繰り返し	ピークパワー	平均パワー	集光径	集光強度	特徴	照射環境	使用可能計測器
GXII-ω(激光XII号ω)	大阪大学	1053 nm	Nd: Glass-ω	12	Pulse	12 kJ	1.5 ns	4 /day	8 TW		25 µm	1.4×10¹⁷ W/cm²	国内最大のパワーレーザー装置。超高エネルギー密度状態の研究。レーザーによる超高強度磁場の発生。	真空	X線ストリークカメラ可視ストリークカメラ X線分光器 X線フレーミングカメラ電子スペクトル計測トムソンパラボラ可視光分光器中性子検出器オシロスコープ
GXII-2ω(激光XII号2ω)	大阪大学	527 nm	Nd: Glass-2ω	12	Pulse	6 kJ	1.5 ns	4 /day	4 TW		25 µm	7.0×10¹⁶ W/cm²	十二本のレーザービームを２倍高調波に変換し、爆縮核融合研究などに利用。	真空	X線ストリークカメラ可視ストリークカメラ X線分光器 X線フレーミングカメラ電子スペクトル計測トムソンパラボラ可視光分光器中性子検出器
GXII-3ω(激光XII号3ω)	大阪大学	351 nm	Nd: Glass-3ω	12	Pulse	3 kJ	1.5 ns	4 /day	2 TW		25 µm	3.4×10¹⁶ W/cm²	3倍高調波に変換し、爆縮核融合研究。レーザー加速や実験室宇宙物理研究。	真空	X線ストリークカメラ可視ストリークカメラ X線分光器 X線フレーミングカメラ電子スペクトル計測トムソンパラボラ可視光分光器中性子検出器
LFEX	大阪大学	1053 nm	Nd: Glass CPA	4	Pulse	0.35 kJ	1.5 ps	3 /day	250 TW		25 µm	5.0×10¹⁹ W/cm²	超高強度・高エネルギーレーザー装置。爆縮燃料の高速点火レーザー核融合。量子ビーム発生や核物理研究。	真空	X線ストリークカメラ可視ストリークカメラ X線分光器 X線フレーミングカメラ電子スペクトル計測トムソンパラボラ可視光分光器中性子検出器
EUV用レーザー	大阪大学	1064 nm	Nd:YAG	1	Pulse	1 J	5 ns	10 Hz	200 MW			1.0×10¹² W/cm²	EUV光源発生用レーザー	真空
EUV光	大阪大学	EUV	Plasma	1	Pulse	<1J	ns						EUV光源。EUVリソグラフィー。材料プロセス。	真空	EUV分光器カロリーメータ
Thz用レーザー	大阪大学	800 nm	Ti:Sapphire	1	Pulse	<1J	<ps						THz光源用レーザー	大気
THz光	大阪大学	THz	半導体など	1	Pulse	<1J	<ps						THz光源。	大気	THz検出器
J-KAREN (High Rep)	量子科学研究開発機構	810 nm	Ti:Sapphire CPA	1	Pulse	1 J	30 fs	10 Hz	33 TW	10 W	1 µm	1×10²¹ W/cm²	安定な高出力レーザーを10Hzの繰り返しで利用可能。	真空	フェムト秒パルス測定装置 X線CCDカメラ高速度ゲードICCDカメラ電子スペクトルメータプローブ計測システム散乱光計測システム
J-KAREN (High Energy)	量子科学研究開発機構	810 nm	Ti:Sapphire CPA	1	Pulse	10 J	30 fs	0.1 Hz	333 TW	1 W	1 µm	1.0×10²² W/cm²	国内最高出力のPWレーザー施設。レーザーイオン加速、プラズマX線レーザー、量子ビーム発生などに利用	真空	フェムト秒パルス測定装置 X線CCDカメラ高速度ゲードICCDカメラ電子スペクトルメータプローブ計測システム散乱光計測システム
High Power ns	理化学研究所	532 nm	Nd:YAG-2ω	1	Pulse	15 J	5 ns	0.1 Hz	3 GW	1.5 W	170 µm	1.3×10¹³ W/cm²	X線自由電子レーザーSACLAのBL3と同期使用できるレーザー装置	真空	大面積フラットパネルディテクターマルチポートCCDカメラ高解像度X線イメージング検出器速度干渉計（VISAR）放射輝度温度計(SOP)
XFEL (SASE)	理化学研究所	0.31-0.06 nm	SASE	1	Pulse	0.6 mJ	10 fs	30 Hz	60 GW		500 nm	3.1×10¹⁶ W/cm²	SACLAのSASE(自然放出光の自己増幅出力(0.5% b.w.)	真空	パワーレーザーと同時使用
XFEL (モノクロ)	理化学研究所	0.31-0.06 nm	SASE, Si-111	1	Pulse	6 µJ	10 fs	30 Hz	600 MW		500 nm	3.1×10¹⁷ W/cm²	SACLAのSASE光を分光結晶により単色化(0.01% b.w.)した出力	真空	パワーレーザーと同時使用
266nm20Wピコ秒レーザー加工装置	東京大学	266 nm	Nd:YAG-4ω	1	Pulse		13 ps	1 MHz		20 W			ガラス、複合材などの難加工材料の穴開け、切断など。高出力のピコ秒深紫外光源 +高速ビームスキャンにより、高品位微細加工を高スループットで提供	大気	レーザー顕微鏡など
ハイブリッドArFレーザー試験加工機	東京大学	193 nm	ArFレーザー	1	Pulse		0.5 ns	6 kHz		10 W			セラミックスなどの難加工材料の穴開け、切削など。サブナノ秒パルス幅の波長 193nm光により、大気、窒素の各雰囲気下で加工可能。ガルバノスキャナーによるフリーフォーム加工に対応。	大気	レーザー顕微鏡など
パルス幅可変レーザー加工装置	東京大学	1033 nm	Ybレーザー	1	Pulse		400 ～ 400000 fs	1 MHz		100 W			セラミックスなどの難加工材料の穴開け、切削など。パルス幅、パワーなどのパラメータを高速可変可能。自動計測によりパラメトリックデータ取得。	大気	レーザー顕微鏡など
レーザー加熱加工装置	東京大学	940 nm	半導体レーザー	1	CW Pulse		4 ms			2.5 kW			鉄鋼材料の焼き入れなどの熱処理加工。パルス幅、照射プロファイルが可変でき、加工位置の温度モニタリング機能を搭載しているため、条件の最適化と品質の安定化が可能。	大気	レーザー顕微鏡など
GaN系半導体レーザー加工装置	東京大学	412.5 nm	半導体レーザー	1	CW					130 w			銅箔などの切断、溶接など。青色レーザー高ビーム品質加工により、ファインプロセスが可能。	大気	レーザー顕微鏡など
高輝度高出力青色半導体レーザー加工装置	東京大学	450 nm	半導体レーザー	1	CW					450 W		2.6×10⁰⁶ W/cm²	銅や銅合金などの高い反射率を持つ加工材の溶接、切断。出力ファイバーのコア径は100µm、NA0.2。パワー密度は 2.6MW/cm²、出力可変(0-200W)、アナログ/デジタル信号での変調が可能、制御用PCアプリを用いた制御も可能。	大気	レーザー顕微鏡など
T⁶ Laser	京都大学	800 nm	Ti:Sapphire CPA	1	pulse	500 mJ	40 fs ~ 1 ps	5 Hz	12.5 TW		2 µm	1.0×10²⁰ W/cm²	チャープパルス増幅 (CPA) チタンサファイヤレーザー。10²⁰ W/cm²の集光強度が利用可能な高出力レーザーシステム。 (T⁶ :Table Top Ten TW Ten Hz Titanium sapphire laser)	真空	超高速電子顕微鏡
複合レーザービーム装置	京都大学	800 nm 400 nm	Ti:Sapphire CPA	2	pulse	1 mJ	40 fs ~ 1 ps	10 Hz	25 GW		2 µm	2×10¹⁷ W/cm²	２波長超短パルスレーザーの同時使用システム	真空	超高速電子顕微鏡