装置詳細
GaN系半導体レーザー加工装置
| 機関・部局 | 東京大学 TACMIコンソーシアム | レーザー装置名 | GaN系半導体レーザー加工装置 |
|---|---|---|---|
| レーザー波長 | 412.5 nm | 光子エネルギー | 3.01 eV |
| レーザー種 | 半導体レーザー | ビーム数 | 1 |
| 運転モード | CW | パルスエネルギー | |
| パルス幅 | 繰り返し | ||
| ピークパワー | 平均パワー | 130 w | |
| 集光径 | レンズF | ||
| 集光強度 | コントラスト | ||
| 照射環境 | 大気 | 使用可能計測器 | レーザー顕微鏡など |
| 利用申請時期 | ・有償利用(随時) TACMIコンソーシアム入会 |
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| 特徴 | 銅箔などの切断、溶接など。青色レーザー高ビーム品質加工により、ファインプロセスが可能。 | ||